| 发明名称 | 镜像分栅快闪存储器及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种镜像分栅快闪存储器及其形成方法。所述镜像分栅快闪存储器的形成方法包括：在半导体衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成浮栅层；在所述浮栅层上形成掩膜层；形成暴露所述浮栅层的第一凹槽；在所述第一凹槽的侧壁形成保护侧墙；在所述第一凹槽的底部和侧壁，以及所述掩膜层上表面形成栅介质层；在所述第一凹槽内的所述栅介质层上形成两个分立的控制栅，所述第一凹槽剩余部分保留为第二凹槽；形成暴露所述第一介质层的第三凹槽；在所述第三凹槽的侧壁和底部，以及所述掩膜层上表面形成第二介质层，剩余所述第三凹槽保留为第四凹槽；形成源极；在所述第四凹槽内形成源线。所述形成方法形成的镜像分栅快闪存储器可靠性和耐用性提高。 | ||
| 申请公布号 | CN104538367A | 申请公布日期 | 2015.04.22 |
| 申请号 | CN201410857366.0 | 申请日期 | 2014.12.30 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 李冰寒 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 吴圳添;骆苏华 |
| 主权项 | 一种镜像分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成浮栅层；在所述浮栅层上形成掩膜层；刻蚀所述掩膜层，直至形成暴露所述浮栅层的第一凹槽；在所述第一凹槽的侧壁形成保护侧墙；在所述第一凹槽的底部和侧壁，以及所述掩膜层上表面形成栅介质层；在所述第一凹槽内的所述栅介质层上形成两个分立的控制栅，所述第一凹槽剩余部分保留为第二凹槽；刻蚀位于所述第二凹槽底部的所述栅介质层和浮栅层，直至形成暴露所述第一介质层的第三凹槽；在所述第三凹槽的侧壁和底部，以及所述掩膜层上表面形成第二介质层，剩余所述第三凹槽保留为第四凹槽；在所述第三凹槽或所述第四凹槽下方的半导体衬底内形成源极；在所述第四凹槽内形成源线。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||