发明名称 一种基于单片机的智能电抗器
摘要 本实用新型公开了一种基于单片机的智能电抗器,包括采样电路、信号处理电路、驱动电路、电抗器组、单片机、负载、电源和外设按键。本实用新型智能电抗器使用单片机作为主控单元控制电抗器组的切换和调节工作,能够快速准确的通过采样电路反馈的信号进行相应操作,不仅使控制更加精准,而且极大的缩短了操作时间,集合式结构使电抗器组具有体积小、切换方便,便于移动的优点,使电抗器具有集成度高、控制精准、结构简单、性能稳定的优点。
申请公布号 CN204290336U 申请公布日期 2015.04.22
申请号 CN201420833494.7 申请日期 2014.12.24
申请人 四川中腾能源科技有限公司 发明人 张帆;杨华;代长春;杨强龙
分类号 H02J3/18(2006.01)I 主分类号 H02J3/18(2006.01)I
代理机构 成都睿道专利代理事务所(普通合伙) 51217 代理人 薛波
主权项 一种基于单片机的智能电抗器,包括采样电路、信号处理电路、驱动电路、电抗器组、单片机、负载、电源和外设按键;其特征在于,所述采样电路的输入端连接负载,采样电路的输出端连接信号处理电路的输入端、信号处理电路的输出端连接单片机、所述单片机还分别连接电源、外设按键和驱动电路,所述驱动电路还连接电抗器组,电抗器组还连接负载电路;所述驱动电路包括MOS管Q、三极管VT1、三极管VT2、和三极管VT3,MOS管Q的漏极连接二极管D1的负极、二极管D8的负极、二极管D9的正极、三极管VT2的集电极和电抗器组,二极管D9的负极连接电阻R5和三极管VT4的集电极,MOS管Q的源极连接二极管D1的正极和电位器RP1的一个固定端,MOS管Q的栅极连接电阻R2、二极管D2的正极和二极管D3的负极,二极管D2的负极连接电阻R1,电阻R1的另一端连接电阻R2的另一端、电阻R3、二极管D4的正极、三极管VT2的发射极和三极管VT3的集电极,二极管D3的正极连接三极管VT1的集电极,三极管VT1的发射极连接电位器RP1的滑动端、电位器RP1的另一个固定端,电阻R3、电阻R7、二极管D5的正极、电容C1和三极管VT3的发射极并接地,二极管D4的负极连接二极管D5的负极,三极管VT1的基极连接二极管D7的正极,二极管D7的负极连接电阻R6、电阻R7的另一端、电容C1的另一端和二极管D8的正极,三极管VT2的基极连接电阻R4和三极管VT3的基极,电阻R4的另一端连接二极管D6的正极和三极管VT4的发射极,三极管VT4的的基极连接电阻R5的另一端和单片机,所示MOS管Q为N沟道增强型。
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