发明名称 磊晶用基板及其制作方法
摘要 一种磊晶用基板,包含一个顶面,及多个自该顶面向下延伸的晶面,其中,每n个晶面构成一角锥形的凹孔,n是不小于3的正整数,每一凹孔的其中一晶面与顶面的连接线至另一最相邻凹孔的最相邻晶面与顶面的连接线的间距不大于500nm,当使用本发明进行磊晶时,是自所述晶面成核后成长并聚集,而非于有应力残留或缺陷存在的顶面开始成核、成长,而可得到缺陷较少、晶体质量较佳的磊晶层体,进而提升以此磊晶用基板制作出的元件的工作效能。
申请公布号 CN102479901B 申请公布日期 2015.04.22
申请号 CN201110378822.X 申请日期 2011.11.21
申请人 李德财 发明人 武东星;洪瑞华;林威廷
分类号 H01L33/22(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/22(2010.01)I
代理机构 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 代理人 王昭林;崔华
主权项 一种磊晶用基板,包含:一个顶面;其特征在于:所述磊晶用基板还包含多个自所述顶面向下延伸的晶面,其中,所述磊晶用基板是六方晶体结构,每三个晶面构成一个正三角锥形的凹孔,且每一晶面与所述顶面具有两等长且夹成120°的连接边,且各凹孔的开口为正六角形,每一凹孔的其中一晶面与顶面的两连接边中的其中一连接边至另一最相邻凹孔的最相邻晶面与顶面的两连接边中的最相邻连接边的间距不大于500nm,且所述顶面是(0001)面,所述晶面是<img file="FDA0000550962400000011.GIF" wi="194" he="99" />面族群其中的一个,任一晶面与顶面的巨观夹角是119°~156°,而使得用所述磊晶用基板磊晶时自所述晶面成核后成长并聚集。
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