| 发明名称 | 全抛釉砖及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种全抛釉砖，底釉层的材料包括如下质量百分含量的原料：钠长石15%～25%、高岭土5%～12%、氢氧化铝1%～8%、石英25%～35%、滑石5%～15%、硅酸锆15%～20%、三聚磷酸钠0.3%～1%及硅灰石4%～5%；面釉层的材料包括如下质量百分含量的原料：钠长石15%～25%、高岭土8%～12%、氢氧化铝5%～9%、滑石5%～15%、三聚磷酸钠0.3%～1%、钾长石10%～25%、氧化锌3%～5%、硅灰石8%～20%及白云石5%～18%。上述全抛釉砖的白度达80°以上。此外，还提供一种全抛釉砖的制备方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103739279B | 申请公布日期 | 2015.04.22 |
| 申请号 | CN201310696046.7 | 申请日期 | 2013.12.16 |
| 申请人 | 广州锦盈新型材料有限公司 | 发明人 | 刘家昶 |
| 分类号 | C04B35/16(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B41/86(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 何平 |
| 主权项 | 一种全抛釉砖，其特征在于，包括依次层叠于坯体上的底釉层和面釉层，所述坯体的材料包括如下质量百分含量的原料：粘土18％～32％、长石30％～50％、石英20％～40％、滑石2％～3％及三聚磷酸钠0.3％～0.5％；所述底釉层的材料包括如下质量百分含量的原料：钠长石15％～25％、高岭土5％～12％、氢氧化铝1％～8％、石英25％～35％、滑石5％～15％、硅酸锆15％～20％、三聚磷酸钠0.3％～1％及硅灰石4％～5％；所述面釉层的材料包括如下质量百分含量的原料：钠长石15％～25％、高岭土8％～12％、氢氧化铝5％～9％、滑石5％～15％、三聚磷酸钠0.3％～1％、钾长石10％～25％、氧化锌3％～5％、硅灰石8％～20％及白云石5％～18％。 | ||
| 地址 | 510830 广东省广州市花都区赤坭镇赤坭大道南38号（原花都陶瓷厂内） | ||