发明名称 |
宽带离子束产生与控制用的共轭ICP与ECR等离子源 |
摘要 |
本发明提供一种离子源,其能够使用一或多个等离子源产生高密度宽带离子束。除了所述等离子源,所述离子源亦包含扩散腔。所述扩散腔具有沿与所述等离子源的介电圆柱体相同的轴定向的提取孔径。在一实施例中,位于所述扩散腔的相对末端上的双等离子源用于形成更均一的提取离子束。在又一实施例中,多尖峰磁场用于进一步改良提取离子束的均一性。 |
申请公布号 |
CN102449739B |
申请公布日期 |
2015.04.22 |
申请号 |
CN201080024190.0 |
申请日期 |
2010.04.01 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司 |
发明人 |
科斯特尔·拜洛;杰·T·舒尔;艾力克斯恩德·S·培尔 |
分类号 |
H01L21/265(2006.01)I;H05H1/24(2006.01)I;H05H1/34(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/265(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
臧建明 |
主权项 |
一种离子源,包括:第一感应耦合等离子源,包括:第一介电圆柱体,其具有第一中心轴、第一闭合末端及第一开放末端;第一气体入口,其与所述第一圆柱体连通,所述第一圆柱体用以将第一气体提供至所述第一圆柱体内;以及第一天线,其围绕所述第一介电圆柱体,所述第一天线用以将RF功率感应耦合至所述第一气体;第二ICP等离子源,包括:第二介电圆柱体,其具有第二中心轴、第二闭合末端及第二开放末端;第二气体入口,其与所述第二圆柱体连通,所述第二气体入口用以将第二气体提供至所述第二圆柱体内;以及第二天线,其围绕所述第二介电圆柱体,所述第二天线用以将RF功率感应耦合至所述第二气体;以及腔外壳,其界定扩散腔,所述扩散腔包括第一末端及第二末端,其中所述扩散腔的所述第一末端连通所述第一介电圆柱体的所述开放末端,所述扩散腔的所述第二末端连通所述第二介电圆柱体的所述开放末端及提取孔径,所述提取孔径的一个尺寸远远大于第二尺寸,其中所述较长尺寸与所述第一介电圆柱体的所述第一中心轴平行,且该扩散腔内的等离子仅由该第一感应耦合等离子源与该第二ICP等离子源提供。 |
地址 |
美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号 |