| 发明名称 | 包括结型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种包括结型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括结型场效应晶体管，所述结型场效应晶体管包括：半导体衬底，具有第一掺杂类型并作为结型场效应晶体管的漏极区；外延层，位于半导体衬底上，具有第一掺杂类型；体区，位于外延层中，具有第二掺杂类型，第二掺杂类型与第一掺杂类型是相反的掺杂类型；源极区，位于外延层中，具有第一掺杂类型；以及栅极区，位于体区中，具有第二掺杂类型，其中，所述结型场效应晶体管还包括屏蔽层，屏蔽层具有第二掺杂类型，位于外延层的内部，并且位于源极区和漏极区之间的导电路径中。由于采用屏蔽层，在结型场效应晶体管中产生新的夹断区，从而可以减小夹断电压。 | ||
| 申请公布号 | CN102916049B | 申请公布日期 | 2015.04.22 |
| 申请号 | CN201210422691.5 | 申请日期 | 2012.10.30 |
| 申请人 | 成都芯源系统有限公司 | 发明人 | 马荣耀;李铁生;张磊;傅达平 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蔡纯 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括结型场效应晶体管，所述结型场效应晶体管包括：半导体衬底，具有第一掺杂类型并作为结型场效应晶体管的漏极区；外延层，位于半导体衬底上，具有第一掺杂类型；体区，位于外延层中，具有第二掺杂类型，第二掺杂类型与第一掺杂类型是相反的掺杂类型；源极区，位于外延层中，具有第一掺杂类型；以及栅极区，位于体区中，具有第二掺杂类型，其中，所述结型场效应晶体管还包括屏蔽层，屏蔽层具有第二掺杂类型，位于外延层的内部，并且位于源极区和漏极区之间的导电路径中，所述屏蔽层的横向截面的形状与体区的顶部截面的形状互补。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新西区出口加工区（西区）科新路8号 | ||