| 主权项 |
一种半导体装置，包括：基板；第一像素，所述第一像素包括所述基板之上的第一薄膜晶体管；与所述第一像素相邻的第二像素，所述第二像素包括所述基板之上的第二薄膜晶体管；与所述第二像素相邻的第三像素，所述第三像素包括所述基板之上的第三薄膜晶体管，其中所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素以列方向排列；与所述第一像素相邻的第四像素，所述第四像素包括所述基板之上的第四薄膜晶体管；与所述第四像素相邻的第五像素，所述第五像素包括所述基板之上的第五薄膜晶体管，其中所述第一像素、所述第四像素和所述第五像素以行方向排列；与所述第一薄膜晶体管的源极和漏极之一、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极之一、所述第三薄膜晶体管的源极和漏极之一、所述第四薄膜晶体管的源极和漏极之一、以及所述第五薄膜晶体管的源极和漏极之一电连接的电源线；与所述第一薄膜晶体管的所述源极和所述漏极的另一个电连接的第一电极；在所述第一电极之上的绝缘层，其中所述绝缘层与所述第一电极的一部分重叠；在所述第一电极之上的场致发光层；以及在所述场致发光层之上的第二电极，其中所述电源线包括第一电源线、第二电源线、第三电源线以及第四电源线，其中所述第一电源线与所述第二电源线和所述第四电源线相交并电连接，其中所述第三电源线与所述第二电源线和所述第四电源线相交并电连接，其中所述第一电源线设置在所述第一像素与所述第二像素之间，其中所述第二电源线设置在所述第一像素与所述第四像素之间，其中所述第三电源线设置在所述第二像素与所述第三像素之间，其中所述第四电源线设置在所述第四像素与所述第五像素之间，其中所述电源线包括氧化铟锡，其中所述第一电极是透光导电膜，以及其中向所述基板一侧发光。 |
