发明名称 |
OTP器件的结构和制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种OTP器件的制作方法,步骤包括:1)用常规工艺在衬底上形成阱、源、漏、浅沟槽隔离、栅氧、选择栅、浮栅、栅极多晶硅、侧墙;2)淀积等离子增强-四乙氧基硅烷膜,通过光刻和刻蚀把硅化阻挡层以外区域的等离子增强-四乙氧基硅烷膜刻掉;3)进行钴化金属工艺,在硅露出区域形成钴化金属;4)再次淀积等离子增强-四乙氧基硅烷膜,形成浮栅数据存储保护膜;5)淀积层间介质膜,化学机械研磨,光刻和刻蚀形成接触孔。本发明还公开了用上述方法制作的OTP器件的结构。发明通过对浮栅和选择栅都采用自对准多晶硅化物工艺,扩大了硅化阻挡层光刻工艺的窗口,同时降低了成本。 |
申请公布号 |
CN104538362A |
申请公布日期 |
2015.04.22 |
申请号 |
CN201410842288.7 |
申请日期 |
2014.12.29 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
王乐平;徐俊杰 |
分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
OTP器件的制作方法,其特征在于,步骤包括:1)用常规工艺在衬底上形成阱、源、漏、浅沟槽隔离、栅氧、选择栅、浮栅、栅极多晶硅和侧墙;2)淀积等离子增强‑四乙氧基硅烷膜,通过光刻和刻蚀把硅化阻挡层以外区域的等离子增强‑四乙氧基硅烷膜刻蚀掉;3)进行钴化金属工艺,在硅露出区域形成钴化金属;4)再次淀积等离子增强‑四乙氧基硅烷膜,形成浮栅数据存储保护膜;5)淀积层间介质膜,化学机械研磨,光刻和刻蚀形成接触孔。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |