EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构

摘要

本实用新型提供了一种EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构，包括：半导体衬底，其中，所述半导体衬底中包括沿两个相互垂直的方向形成多个排列的有源区，所述有源区之间设置有浅沟道隔离；在所述半导体衬底上方沉积有一多晶硅层，所述有源区与所述多晶硅层之间沉积有栅氧化物。在电性能测试过程中可测得所述栅氧化物的电容，根据所述栅氧化物的厚度可得所述有源区的电性面积；然后根据测得的有源区的关键尺寸，可以得出所述有源区的物理面积，所述有源区的电性面积与物理面积的比值就可定量的描述浅沟道隔离凹陷区的大小。

主权项

一种EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构，其特征在于，包括：半导体衬底，其中，所述半导体衬底中包括沿两个相互垂直的方向形成多个排列的有源区，所述有源区之间设置有浅沟道隔离；在所述半导体衬底上方沉积有一多晶硅层，所述有源区与所述多晶硅层之间沉积有栅氧化物。