发明名称 |
一种铝基座和LED元件 |
摘要 |
本实用新型公开了一种铝基座和LED元件,包括铝基板、介质氧化膜层和强化介质膜层,其中,所述介质氧化膜层设置在所述铝基板的表面上,所述强化介质膜层设置在所述介质氧化膜层的上表面,且所述介质氧化膜层和所述强化介质膜层的抗电击穿电压大于5000V。本实用新型提供了一种铝基座和LED元件,能够使得铝基座的电击穿特性与高压场所相匹配,不会被高压场所的电压所击穿,降低出现漏电、短路的概率。 |
申请公布号 |
CN204285387U |
申请公布日期 |
2015.04.22 |
申请号 |
CN201420814291.3 |
申请日期 |
2014.12.19 |
申请人 |
中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 |
发明人 |
张庆钊 |
分类号 |
F21V25/00(2006.01)I;F21V21/00(2006.01)I;F21Y101/02(2006.01)N |
主分类号 |
F21V25/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京华沛德权律师事务所 11302 |
代理人 |
刘杰 |
主权项 |
一种铝基座,其特征在于,包括铝基板、介质氧化膜层和强化介质膜层,其中,所述介质氧化膜层设置在所述铝基板的表面上,所述强化介质膜层设置在所述介质氧化膜层的上表面,且所述介质氧化膜层和所述强化介质膜层的抗电击穿电压大于5000V。 |
地址 |
314000 浙江省嘉兴市南湖区凌公塘路3339号 |