利用氮化硼制备散热芯片的方法

摘要

本发明涉及一种利用氮化硼制备散热芯片的方法，属于散热技术领域。其通过沉积、刻蚀、旋涂、电化学转移和除PMMA制备得到利用氮化硼制备的散热芯片。本发明制备的散热芯片具有极高的比表面积、高热导率和热稳定性，是具备高弹性、清洁超薄的散热片材料。

主权项

一种利用氮化硼制备散热芯片的方法，其特征是步骤为：（1）沉积：取厚度10~200μm的铜箔，采用化学气相沉积法在900~1200℃温度下进行沉积，沉积时间10~180min，得到正反表面生长有二维氮化硼薄膜的铜箔材料；（2）刻蚀：刻蚀掉步骤（1）所得铜箔其中一面的氮化硼，保留铜箔另外一面的氮化硼；（3）旋涂：将步骤（2）所得铜箔在生长有氮化硼的铜箔表面旋涂一层PMMA，其旋涂速率为1500‑2000r/min，旋涂时间为30‑50s；用PET框架粘结在涂有PMMA一面的铜箔表面上，在150‑160℃加热3‑5min；（4）电化学转移：将步骤（3）所得铜箔放入0.1‑0.15mol/L的NaOH溶液中，以铜箔作阴极，铂作阳极，将目标芯片固定在PET框架上，然后通0.7‑1A的电流进行电分解反应；（5）除PMMA：将步骤（4）所得目标芯片浸入丙酮溶液中，加热温度到50‑60℃，浸渍20‑25min，即得产品利用氮化硼制备的散热芯片。