制备N型硅基太阳能电池P+型掺杂层的方法

摘要

制备N型硅基太阳能电池P+型掺杂层的方法，涉及太阳能电池领域，解决了现有采用硼扩散法制备P+型掺杂层存在的P+型掺杂层均匀性和可控性差的问题。该方法为：对N型单晶硅衬底进行化学清洗；采用沉积镀膜方法在N型单晶硅衬底表面沉积硅铝共掺杂非晶薄膜；对表面沉积了硅铝共掺杂非晶薄膜的N型单晶硅衬底进行高温退火热处理，硅铝共掺杂非晶薄膜中的铝离子扩散进入N型单晶硅衬底表面形成P+型掺杂层；利用化学腐蚀液将沉积在N型单晶硅衬底表面的硅铝共掺杂非晶薄膜除去，得到N型硅基太阳能电池P+型掺杂层。P+型掺杂层的掺杂浓度和结深可调控，均匀性较好，可用作发射结、表面场以及局部重P+型掺杂，有利于提升太阳能电池的效率。

主权项

制备N型硅基太阳能电池P+型掺杂层的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(a)对N型单晶硅衬底进行化学清洗，再用去离子水冲洗；(b)采用沉积镀膜方法在N型单晶硅衬底表面沉积硅铝共掺杂非晶薄膜；所述硅铝共掺杂非晶薄膜中的铝元素含量为5％～20％，厚度为0.5μm～2μm；(c)对表面沉积了硅铝共掺杂非晶薄膜的N型单晶硅衬底进行高温退火热处理，退火温度为700℃～850℃，退火时间为5s～5min；在退火过程中硅铝共掺杂非晶薄膜中的铝离子扩散进入N型单晶硅衬底表面形成P+型掺杂层；(d)利用化学腐蚀液将沉积在N型单晶硅衬底表面的硅铝共掺杂非晶薄膜除去，得到N型硅基太阳能电池P+型掺杂层。