一种大直径NTD单晶热处理工艺

摘要

本发明提供一种大直径NTD单晶热处理工艺，包括(1)腐蚀、冲洗、烘干：将硅单晶用硝酸和氢氟酸进行腐蚀，用去离子水冲洗后烘干；(2)浸泡：将硅单晶放入纯水：HCl：H₂O₂＝8：1：1溶液中浸泡；再放入五氧化二磷溶液中浸泡；(3)晾干：自然晾干；(4)入炉：将步骤(3)得到的单晶硅放在石英舟中，入热处理炉；(5)通气：向炉内通入氮气；(6)退火。本发明工艺会在单晶表面形成保护膜，隔绝金属沾污，保证晶体热处理后少子寿命；本发明的热处理升降温曲线及保温过程能充分保证大直径单晶辐照缺陷和损失完全恢复，显示真实电参数。

主权项

一种大直径NTD单晶热处理工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)腐蚀、冲洗、烘干：将硅单晶用硝酸和氢氟酸进行腐蚀，用去离子水冲洗后烘干；(2)浸泡：将硅单晶放入纯水：HCl：H₂O₂＝8：1：1溶液中浸泡；再放入五氧化二磷溶液中浸泡；(3)晾干：自然晾干；(4)入炉：将步骤(3)得到的单晶硅放在石英舟中，入热处理炉；(5)通气：向炉内通入氧气；(6)退火：退火的温度为850℃，恒温8‑16h，缓升缓降温。