| 发明名称 | AMOLED背板的制作方法及其结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种AMOLED背板的制作方法及其结构。该AMOLED背板的制作方法为：依次在基板(1)上沉积缓冲层(2)、非晶硅层，使非晶硅层结晶、转变为多晶硅层并图案化多晶硅层，然后沉积一层P型重掺杂微晶硅层(P+uc-Si)，接着进行黄光制程定义出沟道(40)的位置，再对P型重掺杂微晶硅层(P+uc-Si)进行蚀刻，形成源/漏极(41)，后续依次形成栅极绝缘层(5)、栅极(61)、层间绝缘层(7)、金属源/漏极(81)、平坦层(9)、阳极(10)、像素定义层(11)、及光阻间隙物(12)；所述源/漏极(41)与栅极(61)在水平方向上不重叠，相互间隔。该方法能够改善驱动TFT的电特性，使导通电流较高、漏电流较低，并减少图像残留，提高AMOLED的显示质量。 | ||
| 申请公布号 | CN104538429A | 申请公布日期 | 2015.04.22 |
| 申请号 | CN201410837308.1 | 申请日期 | 2014.12.26 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 徐源竣 |
| 分类号 | H01L27/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人 | 林才桂 |
| 主权项 | 一种AMOLED背板的制作方法，其特征在于，依次在基板(1)上沉积缓冲层(2)、非晶硅层，使非晶硅层结晶、转变为多晶硅层并图案化多晶硅层，然后沉积一层P型重掺杂微晶硅层(P+uc‑Si)，接着进行黄光制程定义出沟道(40)的位置，再对P型重掺杂微晶硅层(P+uc‑Si)进行蚀刻，形成源/漏极(41)，后续依次形成栅极绝缘层(5)、栅极(61)、层间绝缘层(7)、金属源/漏极(81)、平坦层(9)、阳极(10)、像素定义层(11)、及光阻间隙物(12)；所述源/漏极(41)与栅极(61)在水平方向上不重叠，相互间隔。 | ||
| 地址 | 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 | ||