分散式n面欧姆接触的反极性AlGaInP发光二极管

摘要

一种分散式n面欧姆接触的反极性AlGaInP发光二极管，由底部至顶部依次为p电极、衬底、键合层、反射镜层、绝缘层、p型电流扩展层、p型半导体层、有源发光区、n型半导体层、n型窗口层、n型GaAs接触层、n型欧姆接触金属、n电极加厚金属层和n焊盘，反射镜层通过绝缘层开孔与p型电流扩展层接触，n型GaAs接触层在n型窗口层上呈现分散排列，每个单体n型GaAs接触层表面设置一个n型欧姆接触金属，n电极加厚金属层设置在n型窗口层表面并覆盖于n型欧姆接触金属之上。本发明显著提升光提取效率；显著提升器件的电流扩展能力，释放n型欧姆接触金属与n电极加厚金属层之间的应力，提高LED芯片的光提取效率与电极牢固程度。

主权项

一种分散式n面欧姆接触的反极性AlGaInP发光二极管，其特征是，由底部至顶部依次为p电极、衬底、键合层、反射镜层、绝缘层、p型电流扩展层、p型半导体层、有源发光区、n型半导体层、n型窗口层、n型GaAs接触层、n型欧姆接触金属、n电极加厚金属层和n焊盘，反射镜层通过绝缘层开孔与p型电流扩展层接触，n型GaAs接触层在n型窗口层上呈现分散排列，每个单体n型GaAs接触层表面设置一个n型欧姆接触金属，n电极加厚金属层设置在n型窗口层表面并覆盖于n型欧姆接触金属之上。