阵列基板单元结构、阵列基板、显示装置以及制作方法

摘要

本发明公开了一种包括薄膜晶体管和存储电容的阵列基板单元结构及其制作方法，所述薄膜晶体管至少包括：基板上依次形成的第一多晶硅层、栅极绝缘层的第一部分、栅极，以及源极和漏极；所述存储电容至少包括：所述基板上依次形成的第一存储电极，栅极绝缘层的第二部分，以及位于所述栅极绝缘层的第二部分上的第二存储电极，所述栅极绝缘层的第一部分与所述栅极绝缘层的第二部分具有一定的高度差。本发明可以在没有额外增加掩膜成本的基础上，对所述存储电容中的第一存储电极进行掺杂，实现既不污染沟道区，又能增加存储电容的目的。

主权项

一种阵列基板单元结构，包括薄膜晶体管和存储电容，其特征在于：所述薄膜晶体管至少包括：基板上依次形成的第一多晶硅层、栅极绝缘层的第一部分、栅极，以及源极和漏极，所述第一多晶硅层上包括沟道区、源极区和漏极区，所述源极和漏极分别与所述源极区和漏极区连接；所述存储电容至少包括：所述基板上依次形成的第一存储电极，栅极绝缘层的第二部分，以及位于所述栅极绝缘层第二部分上的第二存储电极，所述第一存储电极与所述第一多晶硅层同层设置；其中，所述栅极绝缘层的第一部分包括一凸起部分，所述凸起部分与所述沟道区对应，且所述栅极位于所述凸起部分上；所述栅极绝缘层的第二部分为覆盖在所述第一存储电极上的栅极绝缘层的非凸起部分。