| 发明名称 | 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法。所述制作方法包括：提供SiC晶圆材料，并对所述SiC晶圆表面进行清洁；在所述SiC晶圆表面上淀积欧姆接触金属Ni；在所述欧姆接触金属Ni上面淀积TiW合金；对欧姆接触进行高温退火，完成SiC欧姆接触结构的制作。本发明中由于TiW合金具有一定的抗氧化性能，可以防止欧姆接触退火以及后续的工艺的过程中欧姆接触部分氧化失效；且TiW/Ni/SiC结构相对于Ni/SiC结构的欧姆接触具有更好的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN104538294A | 申请公布日期 | 2015.04.22 |
| 申请号 | CN201510002211.3 | 申请日期 | 2015.01.04 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 刘胜北;何志;刘斌;杨香;刘兴昉;张峰;王雷;田丽欣;刘敏;申占伟;赵万顺;樊中朝;王晓峰;王晓东;赵永梅;杨富华;孙国胜;曾一平 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种碳化硅欧姆接触电极制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：提供SiC晶圆材料，并对所述SiC晶圆表面进行清洁；步骤二：在所述SiC晶圆表面上淀积欧姆接触金属Ni；步骤三：在所述欧姆接触金属Ni上面淀积TiW合金；步骤四：对欧姆接触进行高温退火，完成SiC欧姆接触结构的制作。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||