| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜晶体管，包括形成在基板上的栅极、有源层、源极和漏极，所述有源层包括具有掺杂离子的氧化物，所述掺杂离子具有p轨道电子排布结构，且所述掺杂离子的p轨道能级高于所述氧化物中氧离子的2p轨道能级，以使得掺杂后有源层的价带顶高于有源层中形成的氧空位的能级。相应地，本发明还提供一种薄膜晶体管的制作方法、阵列基板和显示装置。本发明中薄膜晶体管的有源层主要由具有掺杂离子的氧化物制成，可以提高薄膜晶体管的稳定性，且不需要在显示装置上增加遮光结构，简化制作工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN104538457A | 申请公布日期 | 2015.04.22 |
| 申请号 | CN201510020616.X | 申请日期 | 2015.01.15 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 王美丽 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 彭瑞欣;陈源 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：形成在基板上的栅极、有源层、源极和漏极，其特征在于，所述有源层包括具有掺杂离子的氧化物，所述掺杂离子具有p轨道电子排布结构，且所述掺杂离子的p轨道能级高于所述氧化物中氧离子的2p轨道能级，以使得有源层的价带顶高于所述氧化物中形成的氧空位的能级。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||