半导体器件

摘要

本实用新型提供了一种半导体器件，在具有特定掺杂类型的半导体衬底上形成沟槽后，采用与半导体衬底的掺杂类型相反的乳胶掺杂源进行涂布、烘烤以及扩散工艺，所述乳胶掺杂源填满所述沟槽并覆盖修复氧化层表面，同时在所述沟槽周围的半导体衬底中形成与所述半导体衬底的掺杂类型相反的掺杂区，无需采用工艺复杂、技术难度较大的常规外延掺杂工艺，使沟槽内部填充没有缺陷，降低了对沟槽刻蚀工艺的要求，保证器件的高压性能和可靠性要求。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，包括：具有特定掺杂类型的半导体衬底；形成于所述半导体衬底中的沟槽；通过涂布工艺形成于所述沟槽中的乳胶掺杂源；以及通过对所述沟槽中的乳胶掺杂源进行烘烤和扩散进而形成于所述沟槽周围的半导体衬底的掺杂区。