发明名称 COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM
摘要 <p>[과제] 신규의 레지스트 하층막 형성조성물을 제공한다. [해결수단] 하기 식(1a), 식(1b) 및 식(1c): [식 중, 2개의 R은 각각 독립적으로 알킬기, 알케닐기, 방향족 탄화수소기, 할로겐원자, 니트로기 또는 아미노기를 나타내고, 2개의 R는 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 알케닐기, 아세탈기, 아실기 또는 글리시딜기를 나타내고, R은 치환기를 가질 수도 있는 방향족 탄화수소기를 나타내고, R는 수소원자, 페닐기 또는 나프틸기를 나타내고, 식(1b)에 있어서 2개의 R이 나타낸 기 및 2개의 R가 나타낸 원자 또는 기는 서로 상이할 수도 있고, 2개의 k는 각각 독립적으로 0 또는 1을 나타내고, m은 3 내지 500의 정수를 나타내고, n, n및 n는 2 내지 500의 정수를 나타내고, p는 3 내지 500의 정수를 나타내고, X는 단결합 또는 헤테로원자를 나타내고, 2개의 Q는 각각 독립적으로 구조단위를 나타낸다.]로 표시되는 반복구조단위 중 어느 하나 또는 2개 이상을 갖는 폴리머 및 용제를 포함하는 레지스트 하층막 형성조성물.</p>
申请公布号 KR20150043380(A) 申请公布日期 2015.04.22
申请号 KR20157006004 申请日期 2013.08.05
申请人 发明人
分类号 C08G8/04;C09D161/12;G03F7/11 主分类号 C08G8/04
代理机构 代理人
主权项
地址