发明名称 PARALLEL LINE PATTERN CONTAINING CONDUCTIVE MATERIAL, PARALLEL LINE PATTERN FORMATION METHOD, SUBSTRATE WITH TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
摘要 <p>도전체의 세선 패턴에 있어서 투명성과 저항값의 안정성을 향상시킬 수 있는, 도전성 재료를 포함하는 평행선 패턴 및 평행선 패턴 형성 방법의 제공을 목적으로 하고, 상기 평행선 패턴은 기재(2) 상에 형성된 도전성 재료를 포함하는 1조 이상의 평행선(10)을 적어도 갖고, 각 평행선(10)은 도전성 재료가 액체의 움직임에 의해 분리되어 이루어지는 평행선(10)인 것을 특징으로 하고, 상기 평행선 패턴 형성 방법은 도전성 재료를 포함하는 적어도 1조 이상의 평행선(10)을 갖는 평행선 패턴(1)을 기재(2) 상에 형성된 라인 형상 액체를 증발시킬 때에 상기 라인 형상 액체의 가장자리에 상기 도전성 재료를 선택적으로 퇴적시키도록 상기 라인 형상 액체의 대류 상태를 제어하는 것을 특징으로 한다.</p>
申请公布号 KR20150043409(A) 申请公布日期 2015.04.22
申请号 KR20157006276 申请日期 2013.08.20
申请人 发明人
分类号 H01L21/02;H01L21/285;H01L31/0224;H05K1/09;H05K3/12 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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