LED衬底结构及其制作方法

摘要

本发明提供了一种LED衬底结构及其制作方法，在本发明提供的LED衬底结构中，第一GaN结构及第二GaN结构能够增加光的透射，从而可提高倒装LED芯片的出光效率，进而提高倒装LED芯片的发光亮度；第三GaN结构具有聚光作用，从而可提高倒装LED芯片的轴向发光亮度；此外，AlGaN层能够抑制第二GaN结构及第三GaN结构中的缺陷向外延伸，减少后续结构中的缺陷，进一步的，AlGaN层还能够提高倒装LED芯片的抗击穿能力，有利于倒装LED芯片性能及可靠性的提高。在本发明提供的LED衬底结构的制作方法中，工艺简单、可操作性强，适于大规模商业化生产，符合倒装LED芯片未来发展之路。

主权项

一种LED衬底结构，其特征在于，包括：衬底；形成于所述衬底中的多个第一GaN结构；形成于多个第一GaN结构上的多个第二GaN结构；形成于所述衬底表面的多个第三GaN结构，所述多个第三GaN结构与所述多个第二GaN结构间隔排布；以及覆盖所述多个第二GaN结构及多个第三GaN结构的AlGaN层；其中，每个第一GaN结构及每个第二GaN结构的材料均为多晶GaN，每个第三GaN结构的材料为单晶GaN。