发明名称 |
电致变色显示器件、其制备方法、阴极结构及微格阵列 |
摘要 |
本发明公开了一种电致变色显示器件、其制备方法、阴极结构及微格阵列,涉及电致变色技术,解决了现有电致变色显示器件中,阴极材料及阳极材料容易被密封材料污染,且在制备该器件时对位过程的工艺难度大等问题。本发明实施例中,由于微格阵列四周的外墙中有三面外墙的高度超出该微格阵列中微格的高度,形成了具有缺口的抽屉状导槽;又由于超出的高度与阴极薄膜的厚度相同,且抽屉状导槽的内部尺寸与具有阻挡条的阴极薄膜的外周尺寸匹配,因此可利用抽屉原理,用简单的方法保证阳极材料完全密封,简化了对位过程的工艺难度,且阻挡条及高出的三面外墙封住了阴极薄膜的侧边,避免了阴极、阳极材料被密封材料污染的问题。 |
申请公布号 |
CN104536231A |
申请公布日期 |
2015.04.22 |
申请号 |
CN201510023465.3 |
申请日期 |
2011.05.23 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
渠路;李文波 |
分类号 |
G02F1/153(2006.01)I;G02F1/155(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/153(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种电致变色显示器件,包括:在第二导电基材上依次形成的微格阵列、阴极薄膜、第一导电基材及密封材料,所述微格阵列中每个微格内填充有阳极材料,所述密封材料用于密封所述阴极薄膜及所述阳极材料,其特征在于,所述阴极薄膜的至少一个侧边具有阻挡条,所述阻挡条在垂直于所述第一导电基材方向上的厚度与所述阴极薄膜的厚度相同;所述微格阵列四周的外墙中有三面外墙的高度超出所述微格的高度,以在所述微格上方形成具有缺口的抽屉状导槽,所述超出的高度与所述阴极薄膜的厚度相同,所述抽屉状导槽的内部尺寸与具有所述阻挡条的所述阴极薄膜的外周尺寸匹配,以使具有所述阻挡条的所述阴极薄膜嵌入所述抽屉状导槽中,且所述阻挡条对应于所述缺口的位置。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |