一种用于监测曝光偏焦的测试结构

摘要

本实用新型提供一种用于监测曝光偏焦的测试结构，该测试结构至少包括：第一至第三测试结构；第二测试结构分布于第一测试结构的左上、左下、右上、右下四个位置；第三测试结构分布于第一测试结构的左右两侧；第三测试结构位于在所述第一测试结构同一侧的两个第二测试结构之间；第二测试结构与第一测试结构之间的距离等于第三测试结构与第一测试结构之间的距离。本实用新型的测试结构可以在生产线上用于监测正品晶圆曝光焦距的偏移，解决了现有技术中只能用显影后检测来发现由某个工艺中制程不当而使得曝光量改变的现象，从而影响光刻胶形貌以及进一步影响后续刻蚀以及产品良率的问题。有助于工程师采取控制措施而降低产品良率。

主权项

一种用于监测曝光偏焦的测试结构，其特征在于，所述测试结构至少包括：第一至第三测试结构；所述第二测试结构分布于所述第一测试结构的左上、左下、右上、右下四个位置；所述第三测试结构分布于所述第一测试结构的左右两侧；所述第三测试结构位于在所述第一测试结构同一侧的两个第二测试结构之间；所述第二测试结构与所述第一测试结构之间的距离等于所述第三测试结构与所述第一测试结构之间的距离。