| 发明名称 | 半导体发光器件 | ||
| 摘要 | 提供了一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括顺序地堆叠的导电基底、第一电极层、绝缘层、第二电极层、第二半导体层、活性层和第一半导体层。第一电极层和第一半导体层之间的接触面积为半导体发光器件的总面积的3％至13％，因此实现了高发光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102217105B | 申请公布日期 | 2015.04.22 |
| 申请号 | CN200980142209.9 | 申请日期 | 2009.10.22 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 崔繁在;金裕承;李进馥 |
| 分类号 | H01L33/38(2006.01)I;H01L33/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 薛义丹;郭鸿禧 |
| 主权项 | 一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括发光结构，所述发光结构具有顺序地堆叠的导电基底、第一电极层、绝缘层、第二电极层、第二半导体层、活性层和第一半导体层，其中，第二电极层包括至少一个通过暴露与第二半导体层接触的界面的一部分而形成的暴露区域，第一电极层穿透第二电极层、第二半导体层和活性层，并通过穿入第一半导体层的预定区域的多个接触孔而延伸到第一半导体层的所述预定区域来电连接到第一半导体层，绝缘层通过设置在第一电极层和第二电极层之间以及设置在所述多个接触孔的侧表面上使第一电极层与第二电极层、第二半导体层以及活性层绝缘，第一电极层和第一半导体层之间的接触面积为发光结构的总面积的0.615％至15.68％。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||