发明名称 多晶硅介质熔炼时除硼的造渣剂及其使用方法
摘要 本发明公开了一种造渣剂及其在多晶硅介质熔炼提纯中的使用方法。该造渣剂,按重量百分比,由以下原料混合而成:Na<sub>2</sub>SiO<sub>3</sub>50%~79%、SiO<sub>2</sub>20%~40%和TiO<sub>2</sub>1%~15%。在多晶硅介质熔炼提纯中加入本发明的造渣剂,将硼在渣剂和硅液中的分配系数L<sub>B</sub>数值从2~4有效提高了1~2,提高除硼效果,硅料的硼含量降低至0.3ppmw以下。
申请公布号 CN103420377B 申请公布日期 2015.04.22
申请号 CN201310337757.5 申请日期 2013.08.05
申请人 大连理工大学 发明人 李佳艳;谭毅;李亚琼;姜大川;王登科;张磊
分类号 C01B33/037(2006.01)I 主分类号 C01B33/037(2006.01)I
代理机构 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人 贾汉生;李馨
主权项 一种造渣剂在多晶硅介质熔炼中的使用方法,所述方法包括如下步骤:(1)将硅料加入到熔炼坩埚内,采用中频感应炉加热至硅料全部熔化成硅液;(2)将造渣剂按照原料组成加入到混料机中混合均匀;(3)混合好的造渣剂加入到步骤(1)的硅液中,加热至造渣剂全部熔化,进行介质熔炼;(4)介质熔炼结束后,将浮在熔体表面的炉渣全部倾倒出;(5)重复步骤(3)~(4)2~4次,得到的硅液倾倒入模具中冷却凝固;所述的造渣剂按重量百分比,由以下原料混合而成:Na<sub>2</sub>SiO<sub>3</sub>50%~79%、SiO<sub>2</sub>20%~40%和TiO<sub>2</sub>1%~15%;所述步骤(4)中介质熔炼结束后,控制温度1500±20℃,将浮在熔体表面的炉渣全部倾倒出。
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