LED镜面铝基板封装工艺

摘要

本发明公开了一种LED镜面铝基板封装工艺，其包括以下步骤：铝基板布线并电镀镜面银，形成镜面反光层；芯片固晶；固晶胶固化，将固晶有LED芯片的铝基板放入恒温烤箱内，加热烘烤1.5～2小时，烘烤温度为150℃～180℃，待固晶胶固化后，取出降至室温；焊接键合线；荧光胶涂覆。本发明省去了常规的贴片及回流焊的工艺过程，减少生产中的设备投入，降低了生产成本，提高了生产时效，利用该工艺生产的LED产品具有高光效，低热阻，光分布均匀，无炫光，光穿透能力强，可靠性好等优点。

主权项

一种LED镜面铝基板封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1，铝基板布线并电镀镜面银，形成镜面反光层；S2，芯片固晶，在铝基板上涂覆固晶胶，将LED芯片固定于覆有固晶胶处；S3，固晶胶固化，将固晶有LED芯片的铝基板放入恒温烤箱内，加热烘烤1.5～2小时，烘烤温度为150°～180°，待固晶胶固化后，取出降至室温；S4，焊接键合线，通过焊线机台用键合线将LED芯片的PN极分别铝基板的电极上；S5，荧光胶涂覆，将荧光胶均匀涂覆于LED芯片上，之后放入恒温烤箱内，加热烘烤2.5～3小时，烘烤温度为120°～150°。