一种DRAM芯片的晶圆级测试结构和测试方法

摘要

本发明一种DRAM芯片的晶圆级测试结构，包括分别连接在DRAM芯片内部供电网络上的第一电源焊盘和第二电源焊盘；第二电源焊盘分别与内部供电网络通过电源通路连通设置，与内部电压网络通过电压通路连通设置，电压通路并联设置在电源通路上；电压通路和电源通路上分别通过输入输出端连接有第一传输门和第二传输门，第一传输门与第二传输门的控制端极性相反且接入同一控制信号。本发明所述测试方法是将内部电压网络连接在非测试用的电源焊盘上，然后在非测试用的电源焊盘与内部供电网络与内部电压网络的连接通路上分别设置传输门，两个传输门的控制端极性相反且接入同一控制信号；在晶圆级测试时将此电源焊盘作为测试焊盘使用。

主权项

一种DRAM芯片的晶圆级测试结构，其特征在于，包括分别连接在DRAM芯片内部供电网络上的第一电源焊盘和第二电源焊盘；所述的第二电源焊盘与内部供电网络通过电源通路连通设置，第二电源焊盘与内部电压网络通过电压通路连通设置，电压通路并联设置在电源通路上；所述的电压通路和电源通路上分别通过输入输出端连接有第一传输门和第二传输门，第一传输门与第二传输门的控制端极性相反且接入同一控制信号。