发明名称 |
一种高压PMOS器件及其制作工艺流程 |
摘要 |
公开了一种高压PMOS器件和工艺制作流程,所述高压PMOS器件包括P型衬底、N型埋层、外延层、场氧、低压P阱、N阱、厚栅氧、薄栅氧、多晶硅栅、N型重掺杂区、第一P型重掺杂区、以及第二P型重掺杂区,其中,所述N阱和所述低压P阱的间矩为0.5μm~1μm。所述高压PMOS器件减少了工艺制作的掩膜,降低了成本。 |
申请公布号 |
CN104538445A |
申请公布日期 |
2015.04.22 |
申请号 |
CN201410785548.1 |
申请日期 |
2014.12.17 |
申请人 |
成都芯源系统有限公司 |
发明人 |
吉扬永;连延杰 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种高压PMOS器件,包括:P型衬底;位于P型衬底上的N型埋层;位于N型埋层上的外延层;位于外延层上的场氧;位于外延层内的低压P阱;位于外延层内的N阱;位于低压P阱和场氧上的厚栅氧;位于N阱、低压P阱和外延层上的薄栅氧;位于薄栅氧和厚栅氧上的多晶硅栅;位于N阱内的N型重掺杂区,用作体接触区;位于低压P阱内的第一P型重掺杂区,所述第一P型重掺杂区与场氧毗邻;以及位于N阱内的第二P型重掺杂区,所述第二P型重掺杂区与多晶硅栅毗邻,并且与N型重掺杂区电连接;其中,所述N阱和所述低压P阱的间矩为0.5μm~1μm。 |
地址 |
611731 四川省成都市成都高新综合保税区科新路8号成都芯源系统有限公司 |