发明名称 |
留边波浪切高方阻铝金属化膜 |
摘要 |
本实用新型公开了一种留边波浪切高方阻铝金属化膜,包括绝缘质地的基膜和位于所述基膜上的金属镀层,所述金属镀层位于所述基膜的一侧,所述基膜的另一侧设置有留边,所述留边的边缘侧为波浪切边结构;所述金属镀层朝向所述留边的一侧为镀层厚度一致的高阻区,所述金属镀层背向所述留边的一侧为镀层厚度一致的低阻区,所述高阻区的镀层厚度小于所述低阻区的镀层厚度,且所述高阻区和所述低阻区之间设置有镀层厚度渐变的过渡区。本实用新型所述的留边波浪切高方阻铝金属化膜,改善了电容器制成品的耐压性能,高阻区可以适应大电流的冲击,并增强与喷金层的融接能力,使接触电阻下降到更低的可控范围。 |
申请公布号 |
CN204289100U |
申请公布日期 |
2015.04.22 |
申请号 |
CN201420816741.2 |
申请日期 |
2014.12.22 |
申请人 |
安徽赛福电子有限公司 |
发明人 |
曹骏骅;吴平 |
分类号 |
H01G4/33(2006.01)I;H01G4/015(2006.01)I |
主分类号 |
H01G4/33(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
留边波浪切高方阻铝金属化膜,其特征是,包括:绝缘质地的基膜(1)和位于所述基膜上的金属镀层,所述金属镀层位于所述基膜(1)的一侧,所述基膜(1)的另一侧设置有留边(11),所述留边(11)的边缘侧为波浪切边结构;所述金属镀层朝向所述留边(11)的一侧为镀层厚度一致的高阻区(21),所述金属镀层背向所述留边(11)的一侧为镀层厚度一致的低阻区(23),所述高阻区(21)的镀层厚度小于所述低阻区(23)的镀层厚度,且所述高阻区(21)和所述低阻区(23)之间设置有镀层厚度渐变的过渡区(22)。 |
地址 |
244000 安徽省铜陵市狮子山区栖凤路1771号 |