多晶硅刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅刻蚀方法，该方法包括：提供具有第一区域和第二区域的晶片，所述第一区域形成有第一多晶硅层，所述第二区域形成有第二多晶硅层，其中，第一多晶硅层包括非掺杂层以及位于非掺杂层上的掺杂层；在第一多晶硅层和第二多晶硅层上形成图案化光阻层；执行第一刻蚀步骤，以去除未被图案化光阻层覆盖的部分第一多晶硅层和部分第二多晶硅层；执行第二刻蚀步骤，以去除未被图案化光阻层覆盖的剩余的第一多晶硅层和剩余的第二多晶硅层；在所述第一刻蚀步骤中，未被图案化光阻层覆盖的掺杂层被完全去除，从而确保形成具有垂直轮廓的栅极，提高了半导体器件的性能。

主权项

一种多晶硅刻蚀方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的晶片，所述第一区域形成有第一多晶硅层，所述第二区域形成有第二多晶硅层，所述第一多晶硅层包括非掺杂层以及位于所述非掺杂层上的掺杂层，所述第二多晶硅层未掺入杂质；在所述第一多晶硅层和第二多晶硅层上形成图案化光阻层；执行第一刻蚀步骤，以去除未被所述图案化光阻层覆盖的部分第一多晶硅层和部分第二多晶硅层；执行第二刻蚀步骤，以去除未被所述图案化光阻层覆盖的剩余的第一多晶硅层和剩余的第二多晶硅层；其特征在于，在所述第一刻蚀步骤中，未被所述图案化光阻层覆盖的掺杂层被完全去除；所述第一刻蚀步骤持续的时间根据所述晶片的掺杂层的厚度与选定的刻蚀速率计算获得；所述晶片的掺杂层的厚度利用以下步骤获得：提供具有第三区域和第四区域的试片，所述第三区域形成有第三多晶硅层，所述第四区域形成有第四多晶硅层，所述第三多晶硅层包括试片非掺杂层以及位于该试片非掺杂层上的试片掺杂层；在所述第三多晶硅层和第四多晶硅层上形成图案化光阻层；执行主刻蚀步骤，以去除未被所述图案化光阻层覆盖的部分试片掺杂层和部分第四多晶硅层；执行软着陆刻蚀步骤，以去除未被所述图案化光阻层覆盖的剩余的第三多晶硅层和剩余的第四多晶硅层；对所述试片进行切片分析，并根据所述切片分析结果确定所述试片掺杂层的厚度，进而确定所述晶片的掺杂层的厚度。