| 发明名称 | 氮化物半导体结构 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI482314 | 申请公布日期 | 2015.04.21 |
| 申请号 | TW101149159 | 申请日期 | 2012.12.21 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 廖宸梓;胡智威;方彦翔;宣融 |
| 分类号 | H01L33/30 | 主分类号 | H01L33/30 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
| 主权项 | 一种氮化物半导体结构，包括：一矽基板，包括一表面，该表面与垂直(111)晶面的轴之间具有大于0度且小于等于0.5度的倾斜角度；一AlN层，形成于该矽基板的该表面上；一AlGaN层，形成于该AlN层上；以及一GaN层，形成于该AlGaN层上，其中该AlGaN层的Al含量在从该AlN层侧往该GaN层侧的厚度方向上降低，其中该GaN层为一多层结构，该多层结构包括多数层GaN膜。 | ||
| 地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 | ||