| 主权项 |
一种半导体制造方法，包括：形成一第一闸极堆叠，以覆盖一第一半导体鳍的一第一中央部分；形成一第二闸极堆叠，以覆盖一第二半导体鳍的一第二中央部分；进行一第一植入步骤，以一第一N型掺质植入该第一半导体鳍之一暴露部分，以形成一第一N型掺杂区域，其中该第一中央部分被该第一闸极堆叠保护以免于接收该第一N型掺质；进行一第二植入步骤，以一第二N型掺质植入该第二半导体鳍之一暴露部分，以形成一第二N型掺杂区域，其中该第二中央部分被该第二闸极堆叠保护以免于接收该第二N型掺质，且其中该第一N型掺杂区域与该第一闸极堆叠的闸极边缘间距，不同于该第二N型掺杂区域与该第二闸极堆叠的闸极边缘间距；对该第一N型掺杂区域进行蚀刻，以形成一第一凹部；对该第二N型掺杂区域进行蚀刻，以形成一第二凹部；以及进行一磊晶步骤，在该第一凹部及该第二凹部分别再生成一第一半导体区域及一第二半导体区域。 |
