藉由部分预程式化来减少记忆体抹除时间的方法与装置

主权项

一种积体电路，包含：一非挥发记忆阵列，具有多数个各属复数种临界电压范围其中之一的记忆胞，该复数种临界电压范围包括至少一抹除临界电压范围及一程式化临界电压范围；控制电路，响应一抹除命令以抹除该非挥发记忆阵列中之一群记忆胞，且此抹除具有复数个阶段包含至少：一预程式化阶段，其程式化该群记忆胞中临界电压系在于该抹除临界电压范围.内的一第一组记忆胞，且不会程式化该群记忆胞中临界电压系在于该抹除临界电压范围内的一第二组记忆胞；以及一抹除阶段，于该预程式化阶段之后，抹除该整群记忆胞。