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经营范围
发明名称
钻石磊晶成长方法
摘要
申请公布号
TWI481752
申请公布日期
2015.04.21
申请号
TW101143227
申请日期
2012.11.20
申请人
国立交通大学
发明人
张立;吴秉勋;丘坤安
分类号
C30B25/02;C30B25/18
主分类号
C30B25/02
代理机构
代理人
蔡朝安 新竹市科学工业园区力行一路1号E之1
主权项
一种钻石磊晶成长方法,包含:提供一钻石基板;沉积至少一金属层于该钻石基板上,其中该金属层之金属成分系选自由铜、铂、铱、镍、钴及钯组成的群组,其中该金属成分系满足与钻石晶格差异性小于14%;通入一反应气氛;以及沉积一钻石磊晶层于该钻石基板上,该钻石磊晶层填满该金属层,再以侧向成长的方式形成一连续膜。
地址
新竹市大学路1001号
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