发明名称 |
常温硬化性近红外线遮蔽涂布剂及使用其之近红外线遮蔽膜以及其制造方法 |
摘要 |
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申请公布号 |
TWI481677 |
申请公布日期 |
2015.04.21 |
申请号 |
TW099119125 |
申请日期 |
2010.06.11 |
申请人 |
石原产业股份有限公司 |
发明人 |
石灰洋一;坂井章人;西川贵志;片冈健治;堀田清行;安藤英世;福田勇三;近藤赖佑;铃木和也 |
分类号 |
C09D5/32;C09D7/12;C09D183/04;B01J35/02 |
主分类号 |
C09D5/32 |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
主权项 |
一种近红外线遮蔽膜之制造方法,其特征为将常温硬化性近红外线遮蔽涂布剂涂布于基体之至少一面上,且在常温下进行乾燥;该常温硬化性红外线遮蔽涂布剂含有(1)无机系近红外线吸收剂、(2)至少一种选自以一般式Si(OR1)4;(式中,R1系表示相同或不同的碳数1~10之烷基)所表示的4官能矽化合物、其水解物及其缩聚物、(3)至少一种选自以一般式R2Si(OR3)3;(式中,R2、R3各自表示相同或不同的碳数1~10之烷基)所表示之3官能矽化合物、其水解物及其缩聚物、(4)至少一种选自以一般式Si(X)3-Y或R4Si(X)2-Y;(式中,X系表示相同或不同的烷氧基、乙醯氧基或氯原子;R4系表示碳数1~10之烷基;Y系表示除烷基、烷氧基及乙醯氧基外之有机基)所示矽烷偶合剂、其水解物及其缩聚物、与(5)溶剂。 |
地址 |
日本 |