发明名称 静态随机存取记忆胞及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI482268 申请公布日期 2015.04.21
申请号 TW098118673 申请日期 2009.06.05
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 杨列勇;张峰铭;杨昌达;王屏薇
分类号 H01L27/11;H01L21/8244 主分类号 H01L27/11
代理机构 代理人 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项 一种静态随机存取记忆胞,包括:一第一下拉电晶体;一第一上拉电晶体;一第一通道闸电晶体;一第二下拉电晶体;一第二上拉电晶体;一第二通道闸电晶体,其中上述电晶体之主动区系分隔地设置于一基板内,且该些电晶体之主动区系相互平行;一第一直线胞内连接物,电性耦接该第一下拉电晶体之主动区、该第一上拉电晶体之主动区及该第一通道闸电晶体之主动区与该第二下拉电晶体之一闸极以及该第二上拉电晶体之一闸极;以及一第二直线胞内连接物,电性耦接该第二下拉电晶体之主动区、该第二上拉电晶体之主动区及该第二通道闸电晶体之主动区与该第一下拉电晶体之一闸极与该第一上拉电晶体之一闸极。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号