发明名称 半导体晶粒组件,包含该半导体晶粒组件之半导体装置,及制造方法
摘要
申请公布号 TWI482258 申请公布日期 2015.04.21
申请号 TW101127323 申请日期 2012.07.27
申请人 美光科技公司 发明人 英格兰 路克G;席维斯崔 保罗A;克普曼斯 米契
分类号 H01L23/535;H01L23/538 主分类号 H01L23/535
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种形成一半导体晶粒组件之方法,其包括:将一介电材料形成于一基底晶圆之一表面之上;以与复数个横向间隔之半导体晶粒之导电穿孔之一图案对准之一图案将复数个导热元件形成于该介电材料之上;及放置该等导热元件使其与该复数个横向间隔之半导体晶粒之该等导电穿孔接触;将至少两个半导体晶粒布置于该复数个横向间隔之半导体晶粒之各半导体晶粒之上以形成一堆叠且将一堆叠中之该等半导体晶粒之导电穿孔与延伸于其等之间之导电元件连接;将一介电材料提供于一堆叠中之该等半导体晶粒之间;使用在半导体晶粒之该等堆叠之间及周围之一囊封剂材料来大体上同时囊封该基底晶圆上之半导体晶粒之该等堆叠之各者之至少一周边;及穿过半导体晶粒之该等堆叠之间之该囊封剂材料及该基底晶圆单体化半导体晶粒之该等堆叠及该基底晶圆。
地址 美国