发明名称 与贯穿基板介层整合的金属配线构造
摘要
申请公布号 TWI482252 申请公布日期 2015.04.21
申请号 TW098125348 申请日期 2009.07.28
申请人 万国商业机器公司 发明人 柯林斯 大卫S;乔瑟夫 艾文;林格蓝 彼得J;史坦普 安东尼K;华森 金宝M
分类号 H01L23/52;H01L21/768;G06F17/50 主分类号 H01L23/52
代理机构 代理人 李宗德 台北市大安区敦化南路2段218号5楼A区
主权项 一种半导体结构,包含:至少一贯穿基板介层,延伸穿过一半导体基板;至少一线级金属布线结构,包含一乳酪孔阵列,并垂直邻接该至少一贯穿基板介层;一金属布线级介电层,侧向邻接该至少一线级金属布线结构,其中该至少一线级金属布线结构及该金属布线级介电层互补地填充位于该至少一贯穿基板介层上之一层的整体,以及其中该至少一贯穿基板介层的侧壁整体邻接该至少一线级金属布线结构;以及一接触介层级介电层,其中该接触介层级介电层之一底表面垂直邻接该半导体基板之一顶表面,以及其中该至少一贯穿基板介层各个自该接触介层级介电层之一顶表面延伸到该半导体基板之一底表面。
地址 美国