发明名称 半导体变压器
摘要
申请公布号 TWI482182 申请公布日期 2015.04.21
申请号 TW102116223 申请日期 2013.05.07
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 陈纪翰;李宝男;邱基综;陈建桦
分类号 H01F19/00;H01L27/04 主分类号 H01F19/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种半导体变压器,包括:一基板;一第一线圈电感,嵌入该基板内,该第一线圈电感包括一第一端口、一第二端口以及一第一线圈电感墙;一第二线圈电感,嵌入该基板内,该第二线圈电感包括一第三端口、连接至该第三端口的一第一延伸墙、一第四端口、连接至该第四端口的一第二延伸墙以及一第二线圈电感墙;一第一导电元件,延伸于并电性连接该第二线圈电感墙与该第一延伸墙之间,其中该第一导电元件系设于该第二线圈电感墙与该第一延伸墙之上表面或该第二线圈电感墙与该第一延伸墙之下表面;及一第二导电元件,延伸于并电性连接该第二线圈电感墙与该第二延伸墙之间,其中该第二导电元件系设于该第二线圈电感墙与该第二延伸墙之上表面或该第二线圈电感墙与该第二延伸墙之下表面;其中该第一线圈电感墙延伸通过该第二线圈电感墙与该第一延伸墙之间之间隙及延伸通过该第二线圈电感墙与该第二延伸墙之间之间隙;其中该第一线圈电感墙之高度实质上相等于该基板之厚度;及其中该第一延伸墙、该第二延伸墙及该第二线圈电感墙之高 度实质上相等于该基板之厚度。
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路26号