场发射阴极元件之制造方法、其场发射阴极元件及其场发射发光灯源

主权项

一种场发射阴极元件之制造方法，系包含下列步骤：提供一阴极基板，该阴极基板表面至少有一金属导电层；覆盖该阴极基板于一贵金属触媒溶液中，于该阴极基板之该金属导电层表面附着一贵金属触媒所形成的一贵金属触媒晶核层；烘乾附有该贵金属触媒晶核层之该阴极基板；使用热裂解气相沈积法(TCVD)将附有该贵金属触媒晶核层之该阴极基板置入一真空腔体中，于一初始真空度，导入一碳源气体与一钝性气体，并加热至一成长温度；其中，该碳源气体为碳氢化合物气体；于一成长时间完成后，使该贵金属触媒晶核上成长一复合奈米碳材层，以制成一场发射阴极元件，冷却后由该真空腔体取出该场发射阴极元件；其中，该复合奈米碳材层系由一复合奈米碳材所组成，该复合奈米碳材包含有一螺旋奈米碳材，该螺旋奈米碳材为一螺旋奈米碳管与一螺旋奈米碳纤维之混合物；其中，该复合奈米碳材层之该螺旋奈米碳材计量数量占全部该复合奈米碳材至少40%。