发明名称 | 记忆体装置、读取记忆胞方法与程式化记忆体阵列方法 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI482155 | 申请公布日期 | 2015.04.21 |
申请号 | TW099122049 | 申请日期 | 2010.07.05 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈逸舟;简维志;李峰旻 |
分类号 | G11C13/00 | 主分类号 | G11C13/00 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
主权项 | 一种记忆体装置,包括具有多个记忆胞的一阵列,且该些记忆胞中的至少一记忆胞包括:一电晶体,具有一第一端,一第二端与一闸极端,该电晶体用以在分别与多个记忆体状态相关之不同的多个临界电压之间切换;以及一电阻值切换装置,与该电晶体并联,以使该电阻值切换装置连接至该电晶体的该第一端与该第二端,且该电阻值切换装置用以在分别与所述多个记忆体状态相关之不同的多个电阻值之间切换,其中该电阻值切换装置包括一第一记忆体结构与一第二记忆体结构。 | ||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |