发明名称 低表面缺陷密度之磊晶基板的制造方法
摘要
申请公布号 TWI482214 申请公布日期 2015.04.21
申请号 TW098102239 申请日期 2009.01.21
申请人 国立中兴大学 发明人 武东星;洪瑞华;谌思廷;蔡宗晏;吴学维
分类号 H01L21/302 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人 高玉骏 台北市松山区南京东路3段248号7楼;杨祺雄 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 一种低表面缺陷密度之磊晶基板的制造方法,包含:(a)自一晶格不匹配且具阵列图案的图样化的基材侧向磊晶,形成一具有复数对应该基材的图案位置的缺陷处且表面缺陷降低的第一磊晶层;(b)利用湿式蚀刻剂自该第一磊晶层平面向下进行缺陷选择性蚀刻,将该第一磊晶层的缺陷处蚀刻出复数第一凹洞,使该第一磊晶层具有一界定该等第一凹洞的磊晶层平面,其中,该等第一凹洞的孔径宽度大小相近,且所选用的湿式蚀刻剂是加热磷酸且不含硫酸;(c)选择与该第一磊晶层移除速率比不同的材料,自该等第一凹洞向上形成一填满该等第一凹洞的阻挡层;及(d)利用化学机械研磨法移除该阻挡层至使该磊晶层平面裸露,而使该磊晶层平面与剩下的该阻挡层表面共同定义出一完整且平坦的磊晶基面。
地址 台中市南区国光路250号