发明名称 雷射钻孔方法
摘要
申请公布号 TWI481463 申请公布日期 2015.04.21
申请号 TW101136653 申请日期 2012.10.04
申请人 欣兴电子股份有限公司 发明人 赵裕荧
分类号 B23K26/38 主分类号 B23K26/38
代理机构 代理人 陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼
主权项 一种雷射钻孔方法,系包括以下步骤:  于基板的表面上形成金属层,其中,该金属层的厚度范围为18μm至32μm;  粗化该金属层的表面,使该金属层的表面具有小于0.3μm之粗糙度;  于该经粗化处理之金属层上形成黏着层;以及  利用雷射于该黏着层中形成至少一开孔,以外露该经粗化处理之金属层的部分表面,且该开孔的下缘孔径较该开孔的上缘孔径之比值范围在0.95至1.05之间。
地址 桃园市桃园区龟山工业区兴邦路38号