| 摘要 |
<p>Eine Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst in einem Abschlussbereich (21) einen Durchbruchspannungshaltebereich (7) vom p–-Typ, der ein Störstellenbereich ist, der in einer vorbestimmten Tiefenrichtung von einer Substratoberfläche eines Substrats (1) vom n–-Typ ausgebildet ist, einen ersten Isolationsfilm (10), der auf dem Substrat (1) vom n–-Typ so ausgebildet ist, dass er zumindest den Durchbruchspannungshaltebereich (7) vom p–-Typ bedeckt, eine erste Feldplatte (11), die auf dem ersten Isolationsfilm (10) ausgebildet ist, einen zweiten Isolationsfilm (12), der so ausgebildet ist, dass er die erste Feldplatte (11) und den ersten Isolationsfilm (10) bedeckt, und eine zweite Feldplatte (13), die auf dem zweiten Isolationsfilm (12) ausgebildet ist. Der erste Isolationsfilm (10) ist in einem Eckenabschnitt (24) dicker als in einem geraden Abschnitt (22) in X-Richtung und einem geraden Abschnitt (23) in Y-Richtung.</p> |
