发明名称 |
电晶体;TRANSISTOR |
摘要 |
此电晶体在基板上具有闸极电极、绝缘层、半导体层、源极电极及汲极电极,且前述闸极电极系使用以下述通式(1)表示之β-酮羧酸银形成。;A transistor of the present invention includes a gate electrode, an insulating layer, a semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode on a substrate; wherein the gate electrode is formed of silver β-ketocarboxylate represented by the following general formula (1). |
申请公布号 |
TW201515115 |
申请公布日期 |
2015.04.16 |
申请号 |
TW103124764 |
申请日期 |
2014.07.18 |
申请人 |
凸版资讯股份有限公司 TOPPAN FORMS CO., LTD. |
发明人 |
松本孝典 MATSUMOTO, TAKAFUMI;竹谷纯一 TAKEYA, JUNICHI |
分类号 |
H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群陈文郎 |
主权项 |
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地址 |
日本 JP; |