发明名称 电晶体;TRANSISTOR
摘要 此电晶体在基板上具有闸极电极、绝缘层、半导体层、源极电极及汲极电极,且前述闸极电极系使用以下述通式(1)表示之β-酮羧酸银形成。;A transistor of the present invention includes a gate electrode, an insulating layer, a semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode on a substrate; wherein the gate electrode is formed of silver β-ketocarboxylate represented by the following general formula (1).
申请公布号 TW201515115 申请公布日期 2015.04.16
申请号 TW103124764 申请日期 2014.07.18
申请人 凸版资讯股份有限公司 TOPPAN FORMS CO., LTD. 发明人 松本孝典 MATSUMOTO, TAKAFUMI;竹谷纯一 TAKEYA, JUNICHI
分类号 H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01) 主分类号 H01L21/336(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群陈文郎
主权项
地址 日本 JP;