用于稳定界面后蚀刻以尽量减少下一处理步骤前伫列时间问题的方法;METHODS FOR STABILIZING AN INTERFACE POST ETCH TO MINIMIZE QUEUE TIME ISSUES BEFORE NEXT PROCESSING STEP

摘要

本发明提供用于使用低温蚀刻制程以及后续界面保护层沉积制程来蚀刻介电质阻障层之方法。在一个实施例中，用于蚀刻安置于基板上之介电质阻障层之方法包括以下步骤：将基板转移至蚀刻处理腔室中，该基板具有安置于该基板上之介电质阻障层；对介电质阻障层执行处理制程；在供应至蚀刻处理腔室中之蚀刻气体混合物中以远端方式产生电浆，以蚀刻安置于基板上之已处理介电质阻障层；电浆退火介电质阻障层以自基板移除介电质阻障层；以及在自基板移除介电质阻障之后形成界面保护层。