发明名称 半导体装置
摘要 控制电路(105),在接收到双单元资料的清除要求时,控制使第1记忆元件(102)与第2记忆元件(103)的双方或其中一方的阈值电压增加的第1阶段处理的执行,直到第1记忆元件(102)与第2记忆元件(103)的阈值电压成为既定的写入验证位准为止。控制电路105,在第1阶段处理的执行后,控制使第1记忆元件(102)与第2记忆元件(103)的阈值电压一起减少的第2阶段处理的执行,直到第1记忆元件(102)与第2记忆元件(103)的阈值电压成为既定的清除验证位准为止。
申请公布号 TW201514994 申请公布日期 2015.04.16
申请号 TW103127659 申请日期 2014.08.12
申请人 瑞萨电子股份有限公司 RENESAS ELECTRONICS CORPORATION 发明人 西山崇之 NISHIYAMA, TAKAYUKI
分类号 G11C16/06(2006.01) 主分类号 G11C16/06(2006.01)
代理机构 代理人 周良谋周良吉
主权项
地址 日本 JP