在相变记忆体中的设置与重置操作及相关技术与组态;SET AND RESET OPERATION IN PHASE CHANGE MEMORY AND ASSOCIATED TECHNIQUES AND CONFIGURATIONS

摘要

本揭示内容之实施例说明用于一相变记忆体(PCM)装置中之字线路径隔离的技术与组态。于一实施例中，一种方法包括增加经过一相变记忆体(PCM)装置之一记忆体胞元的一电流，其中该记忆体胞元与一电容器耦合，以及在该增加电流之后，由该电容器之放电来产生经过该记忆体胞元之一暂态电流以重置该记忆体胞元。另一实施例中，一种方法包括增加经过一相变记忆体(PCM)装置之一记忆体胞元的一电流、并控制该电流大于该记忆体胞元之一临界电流以及小于一保持电流以设置该记忆体胞元。本案亦叙述其他实施例及加以请求专利。