半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

摘要

本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有高场效移动率的电晶体。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种电特性稳定的电晶体。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种关闭时(非导通时)的电流小的电晶体。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种包括该电晶体的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：半导体；具有与半导体的顶面接触的区域及与半导体的侧面接触的区域的源极电极和汲极电极；具有与半导体接触的区域的闸极绝缘膜；以及具有隔着闸极绝缘膜与半导体相对的区域的闸极电极，其中，半导体不与源极电极和汲极电极接触的区域的通道宽度方向的长度短于半导体与源极电极和汲极电极接触的区域的通道宽度方向的长度。; a source electrode and a drain electrode including regions in contact with a top surface and side surfaces of the semiconductor; a gate insulating film including a region in contact with the semiconductor; and a gate electrode including a region facing the semiconductor with the gate insulating film provided therebetween. A length of a region of the semiconductor, which is not in contact with the source and drain electrodes, is shorter than a length of a region of the semiconductor, which is in contact with the source and drain electrodes, in a channel width direction.